为什么半导体中塞贝克系数seebeckcoefficient随着载流子浓度上升而下降

塞贝克效应又称作第一热电效应，是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。一般规定热电势方向为：在热端电流由负流向正。在两种金属A和B组成的回路中，如果使两个接触点的温度不同，则在回路中将出现电流，称为热电流。相应的电动势称为热电势，其方向取决于温度梯度的方向。塞贝克效应的实质在于两种金属接触时会产生接触电势差电压，该电势差取决于两种金属中的电子溢出功不同及两种金属中电子浓度不同造成的。半导体的温差电动势较大，可用作温差发电器。

什么硅可以制取半导体材料

1、高纯度。目前，人们已可制得纯度为14N（99.999999999999%）的硅材料，但只要达到10N，就可以满足大部分集成电路的需要了。

2、单晶体。硅的单晶体是指具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

半导体存储器分为哪两种

半导体存储器分为随机存取存储器和只读存储器。

半导体存储器（semi-conductormemory）是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器，内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）。体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的信息都会随之丢失。DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。优点：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。缺点：和磁芯存储器不同的是，半导体存储器属于易失性存储器(VolatileMemory)，在电源中断时会使数据消失，如RAM(RandomAccessMemory)。